MOSFET驅(qū)動(dòng)電路類(lèi)型的研究與測(cè)試

引 言

MOSFET是種多子導(dǎo)電的單電壓器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗、驅(qū)動(dòng)功率小、熱穩(wěn)定好、工作區(qū)寬、無(wú)二次擊穿等優(yōu)點(diǎn)，在諸多領(lǐng)域中獲得了越來(lái)越的應(yīng)用。為了適應(yīng)不同場(chǎng)合下的使用要求，類(lèi)型的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路也相繼出現(xiàn)。不同驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)能力不同，輸入驅(qū)動(dòng)波形受到的影響也有所不同，所以對(duì)不同類(lèi)型的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行研究和測(cè)試就顯得重要。

MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)要求

由于MOSFET的開(kāi)關(guān)特與驅(qū)動(dòng)電路的能密切相關(guān)，設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)電路能夠地改善MOSFET的開(kāi)關(guān)特，從而減少開(kāi)關(guān)損耗，提整機(jī)效率及功率器件工作的穩(wěn)定。因此MOSFET驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)以下要求：
① 導(dǎo)通時(shí)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)該能夠提供足夠大的驅(qū)動(dòng)電流為輸入電容充電，使MOSFET柵源電壓迅速上升到所需值，開(kāi)關(guān)管能迅速導(dǎo)通且不存在上升沿的頻振蕩。
② 為使MOSFET可靠導(dǎo)通，柵電壓（驅(qū)動(dòng)電壓）應(yīng)于開(kāi)啟電壓UT（3～5V）,為減小導(dǎo)通電阻及導(dǎo)通損耗，應(yīng)在不過(guò)柵擊穿電壓的前提下盡量加大柵驅(qū)動(dòng)電壓。
③ 為加速關(guān)斷，在關(guān)斷時(shí)建立負(fù)的柵源電壓，并給輸入電容提供低阻抗的放電通道以加速電容放電，開(kāi)關(guān)管能夠關(guān)斷。
④ 關(guān)斷期間驅(qū)動(dòng)電路能提供的負(fù)電壓以避免受到干擾產(chǎn)生誤導(dǎo)通。
⑤ 要求驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可靠，損耗小，有。

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的常見(jiàn)類(lèi)型及特點(diǎn)

常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路可以分為直接驅(qū)動(dòng)型和驅(qū)動(dòng)型兩種。直接驅(qū)動(dòng)包括推挽輸出驅(qū)動(dòng)、 TTL驅(qū)動(dòng)和CMOS驅(qū)動(dòng)等； 型驅(qū)動(dòng)包括光耦和磁耦合兩種形式。

1 推挽式直接驅(qū)動(dòng)電路

推挽式驅(qū)動(dòng)是zui常用的直接驅(qū)動(dòng)方式，適用于不要求的小功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。它采用對(duì)NPN和PNP晶體管搭建而成，可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通時(shí)輸出較大的驅(qū)動(dòng)電流，關(guān)斷時(shí)為柵電荷提供低阻的放電回路，同時(shí)晶體管工作于射跟隨，不會(huì)出現(xiàn)飽和。

功率MOSFET屬于電壓型器件，只要柵和源之間施加的電壓過(guò)其閾值電壓就會(huì)導(dǎo)通。由于MOSFET存在結(jié)電容，關(guān)斷時(shí)其漏源兩端電壓的突然上升將會(huì)通過(guò)結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓。常用的推挽式直接驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)斷回路阻抗小，關(guān)斷速度較快。但它不能提供負(fù)壓，故其較差。其電路和實(shí)驗(yàn)波形圖如圖1所示。